بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید در کاهش اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
پایان نامه
- دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق
- نویسنده مریم قدرتی
- استاد راهنما علی نادری
- سال انتشار 1393
چکیده
در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معادله انتقال، استفاده شده است.
منابع مشابه
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی
Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs), are considered as a proper candidate to improve the silicon transistor performance at short channel regime. In this paper a novel CNTFET with lightly doped channel and dual section dielectric (LIC-DSD-CNTFET) is proposed. This structure is compared with conventional (C-CNTFET) and dual section dielectric (DSD) structures with similar dimension...
متن کاملمدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده
In this paper a compact current-voltage model for MOSFET-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors (MOSFET-like CNFET) is presented. To model these devices the one-dimensional drain/source current equation obtained from Landauer approach must be solved self-consistently with the equation relates the Fermi surface and carrier concentration. Also, numerically solve of the integral over densit...
متن کاملتأثیر تغییرات ساختاری گیت و کانال در بهبود مشخصات کانال کوتاه ترانزیستورهای نانولوله کربنی
این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023